[全球网络技术综合报告] 9月11日，TSMC最近确认了许多生产能力计划，包括从硝酸甘油（GAN）业务离开了两年，并结合了旧的8英寸工厂以及将大规模生产的自我开发放置，即极端的Ultorlaviet（EUV）Mask）电影。此步骤旨在优化容量结构，降低运营成本并减少对外部供应链的依赖，并进一步提高高级流程的竞争力。根据该计划，TSMC将关闭位于Hsinchu科学公园的6英寸工厂2，并在Hsinchu中包括8英寸工厂3（Fab 3，Fab 5，Fab 8）。为了减轻缺乏劳动力并提高使用能力的效率，大约30％的关联员工将被转移到南方科学园和Kaohsiung工厂。自TSMC于2025年初启动了旧的工厂规划计划以来，这一系列动作是一项主要建议。在许多工厂中纳入并传播生产能力并降低运营成本。 在旧工厂的转换和使用方面，TSMC明确表示，6英寸工厂将在Copos级的面板生产基地进行修改，而8英寸工厂将进行更稳定的自我开发EUV Photocoat Photocoat Film（Pellicle）的工作质量。可以理解，EUV光掩膜膜是覆盖光掩膜的主要保护膜，可以有效防止晶粒污染影响光刻摄影的准确性，对于7纳米以下的高级过程的产量至关重要。过去，传统的膜euv光掩膜通常被使用有机材料，而没有足够的光线和稳定性。大多数织物只能在没有膜的状态下生产，并且有必要经常检测和替换光掩膜，这不仅增加了生产成本，还可以扩大劳动周期。EUV面膜膜由TSMC独立开发，预计将解决该行业的疾病点，通过优化生产过程来提高高级过程的产量，同时减少对ASML及其供应链的依赖，并增强独立和控制的供应链能力。从该行业的背景角度来看，TSMC在过去10年中已将创纪录的资本投资于高级流程领域，但是随着摩尔的法律符合身体的限制，仅依靠远期投资的回报逐渐削弱。尽管EUV光刻技术为较小的流程节点提供了可能性，但其设备成本很高 - 单一的EUV扫描仪约为1.5亿美元，而高版本则超过3.5亿美元，而基本设备很长一段时间内则是ASML -Monopoly。在这种背景下，TSMC降低了购买高NA设备的速度，而是加速了研究和DE支持EUV电影的关键技术的速度和大规模生产，这已成为平衡成本和技术突破的重要方法。 （Chu Jun）小编：[全球网络技术综合报告] 9月11日，TSMC最近确认了许多生产能力调整，包括从氮化炮上除去两年（GA）
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